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TP0101K
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.0
2.0
1.6
V GS = 5 thr u 3 V
2.5 V
1.6
T J = - 55 °C
25 °C
1.2
0. 8
2 V
1.2
0. 8
125 °C
0.4
1.5 V
0.4
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1 V
3.5
4.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.0
2.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
200
175
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
2.0
150
125
C iss
1.5
100
1.0
V GS = 2.5 V
75
C oss
0.5
0.0
V GS = 4.5 V
50
25
0
C rss
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
V DS = 6 V
I D = 0.6 A
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 0.6 A
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 72692
S-83053-Rev. B, 29-Dec-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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